如何实现大容量固态硬盘 实现大容量固态硬盘方法【介绍】

现在，越来越多移动设备和电子设备连接到互联网，据可靠的预测显示，到2020年， 连接到互联网的电子设备将达到500亿台。这个世界因此在经历着前所未有的数据爆炸，和设备连接到互联网，世界正在经历数张家口市治疗羊角风哪些医院据爆炸时代，张掖有癫痫病医院吗对数据储存的逐年增长的需要驱动着半导体行业飞速的发展。　　为了跟上时代的发展，企业数据中心和终端客户都需要有一个全新的储存时代。在这个过程中，NAND闪存是储存的核心。我们之前最熟悉的摩尔定律在发展到10nm左右就出现了无法延续的尴尬。传统的2D NAND闪存，也即平面型闪存，已经无法满足用户对固态硬盘容量的要求。所以寻求新的突破才是正道。　　不负众望，国际储存巨头纷纷发布了新一代的3D NAND闪存。比如，英特尔/美光发布的基于浮栅原理的3D NAND闪存，西数/闪迪发布的BICS 3D NAND，以及三星发布的V-NAND。除了3D NAND，英特尔/美光还发布了近十年来的革新技术3D Xpoint, 威力比3D NAND还要强大数十倍。不过，我们本文不介绍3D Xpoint哦，本文主要学习一下三星的V-NAND技术。　平顶山治癫痫病去哪家医院好　我们先来看看V-NAND长什么样子以及和2保定市最有效治疗羊羔疯的医院是哪家D NAND之间的分别，如下图：　　上图左边是平面NAND的截面图，从"平面"这个字眼，我们不难理解，NAND闪存储存单元都是沿着平面的方向扩展，大容量的闪存颗粒就需要很大的面积。现实中，我们都知道，地皮很贵，房子贵的大家都买不起了。同样，在便携式电子设备越来越多的情况下，一味的增大储存芯片的面积，只能被时代淘汰。　　上图右是3D NAND的截面图。之所以被称为3D，主要是因为，储存单元的扩展主要沿着竖直方向延伸，就像，我们盖高楼大厦一样，占用很小的地皮资源，通过增加楼层就可以容纳更多的人，同理，3D NAND在有限的面积上，通过增加在垂直方向增加储存单元，就可以实现大容量的储存，符合时代的需要，也将会被时代选择。　　与2D NAND相比，V-NAND的储存单元间隔更大。在2D NAND中，两个cell之间的距离一般在15nm左右，而在V-NAND中，两个cell之间的距离可以到40nm。那这个cell之间的距离有什么影响呢?在NAND闪存中，cell离得很近时，会带来比较大的干扰，当cell之间距离变大之后，负面的干扰就会减少很多，这样一来，我们也可以明白，V-NAND的可靠性要比2D NAND强。　　下图是，V-NAND的阶梯式互连电路，是不是很漂亮呀!有了它，大容量的固态硬盘也不在话下咯!